N-Kanal 1200 V 65 A (Tc) 306W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 1200 V 65 A (Tc) 306W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
TO-247
Best-in-class RDSon temperature stability - Understanding Nexperia 1200 V SiC MOSFETs #1

NSF040120L4A0Q

DigiKey-Teilenr.
1727-NSF040120L4A0Q-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
NSF040120L4A0Q
Beschreibung
SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
Standardlieferzeit des Herstellers
8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 65 A (Tc) 306W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
2,9V bei 4mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
95 nC @ 15 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
+22V, -10V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2600 pF @ 800 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
306W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V, 18V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
60mOhm bei 40A, 15V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 20,09000€ 20,09
10€ 14,47100€ 144,71
450€ 10,90198€ 4.905,89
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