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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
MUR20010CTR | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 1913-MUR20010CTR-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | MUR20010CTR |
Beschreibung | DIODE MODULE GP 100V 100A 2TOWER |
Standardlieferzeit des Herstellers | 7 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | Diodenarray 1 Paar gemeinsameAnoden 100 V 100A Chassisbefestigung Doppelturm |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | MUR20010CTR Modelle |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Geschwindigkeit Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io) |
Hersteller Navitas Semiconductor, Inc. | Umkehrerholungszeit (trr) 75 ns |
Verpackung Lose im Beutel | Strom - Sperrleckstrom bei Vr 25 µA @ 50 V |
Status der Komponente Aktiv | Betriebstemperatur - Übergang -55°C bis 150°C |
Diodenkonfiguration 1 Paar gemeinsameAnoden | Montagetyp Chassisbefestigung |
Technologie Standard | Gehäuse / Hülle Doppelturm |
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.) 100 V | Gehäusetyp vom Lieferanten Doppelturm |
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 100A | Basis-Produktnummer |
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If 1.3 V @ 100 A |
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Menge
Alle Preise in EUR
Lose im Beutel
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 40 | € 72,00250 | € 2.880,10 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 72,00250 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 86,40300 |
