Name: G3R160MT17D
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3R160MT17D-ND
Price: 18.06 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 1700 V 21 A (Tc) 175W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3

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G3R160MT17D
DigiKey-Teilenr.	1913-G3R160MT17D-ND
Hersteller	Navitas Semiconductor, Inc.
Hersteller-Teilenummer	G3R160MT17D
Beschreibung	SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1700 V 21 A (Tc) 175W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,7V bei 5mA
Herst. Navitas Semiconductor, Inc.	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 51 nC @ 15 V
Serie G3R™	Vgs (Max.) ±15V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1272 pF @ 1000 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 175W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1700 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 21 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-247-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V	Basis-Produktnummer G3R160
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 208mOhm bei 12A, 15V

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30	€ 9,29933	€ 278,98
120	€ 8,04058	€ 964,87
510	€ 7,53012	€ 3.840,36

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