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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
G2R1000MT17D | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 1913-G2R1000MT17D-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | G2R1000MT17D |
Beschreibung | SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 1700 V 5 A (Tc) 44W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Obsolet | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1700 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 20V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 1,2Ohm bei 2A, 20V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 5,5V bei 500µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 11 nC @ 20 V | |
Vgs (Max.) | +25V, -10V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 111 pF @ 1000 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 44W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-247-3 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Obsolet
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