N-Kanal 60 V 350mA (Tj) 1W (Tc) Durchkontaktierung TO-92-3
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TN0106N3-G-P013

DigiKey-Teilenr.
TN0106N3-G-P013-ND - Band & Box (TB)
Hersteller
Microchip Technology
Hersteller-Teilenummer
TN0106N3-G-P013
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Standardlieferzeit des Herstellers
59 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 60 V 350mA (Tj) 1W (Tc) Durchkontaktierung TO-92-3
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Microchip Technology
Serie
-
Verpackung
Band & Box (TB)
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
350mA (Tj)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
3Ohm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2V bei 500µA
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
60 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
1W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92-3
Gehäuse / Hülle
TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)
Basis-Produktnummer
TN0106
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