JFET P-Kanal 30 V 500 mW Durchkontaktierung TO-18 (TO-206AA)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

MV2N5116

DigiKey-Teilenr.
MV2N5116-ND
Hersteller
Microchip Technology
Hersteller-Teilenummer
MV2N5116
Beschreibung
JFET P-CH 30V TO18
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
JFET P-Kanal 30 V 500 mW Durchkontaktierung TO-18 (TO-206AA)
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Microchip Technology
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
P-Kanal
Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS)
30 V
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom - Drain (Idss) bei Vds (Vgs=0)
25 mA @ 15 V
Spannung - Abschaltung (VGS aus) bei Id
6 V @ 1 nA
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
27pF bei 15V
Widerstand - RDS(On)
100 Ohms
Leistung - Max.
500 mW
Betriebstemperatur
-65°C bis 200°C (TJ)
Klasse
Militärtechnik
Qualifizierung
MIL-PRF-19500
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-206AA, TO-18-3 Metallgehäuse
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-18 (TO-206AA)
Basis-Produktnummer
MV2N5116
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