N-Kanal 1200 V 79A 310W Chassisbefestigung
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

MSCSM120SKM31CTBL1NG

DigiKey-Teilenr.
150-MSCSM120SKM31CTBL1NG-ND
Hersteller
Microchip Technology
Hersteller-Teilenummer
MSCSM120SKM31CTBL1NG
Beschreibung
PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 79A 310W Chassisbefestigung
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Microchip Technology
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
79A
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
31mOhm bei 40A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,8V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
232 nC @ 20 V
Vgs (Max.)
+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3020 pF @ 1000 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
310W
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
Gehäuse / Hülle
Modul
Basis-Produktnummer
MSCSM120
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