Name: MSC080SMA120B4
Brand: Microchip Technology
SKU: 150-MSC080SMA120B4-ND
Price: 9.576 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

MSC080SMA120B4
DigiKey-Teilenr.	150-MSC080SMA120B4-ND
Hersteller	Microchip Technology
Hersteller-Teilenummer	MSC080SMA120B4
Beschreibung	SICFET N-CH 1200V 37A TO247-4
Standardlieferzeit des Herstellers	7 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 37 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	MSC080SMA120B4 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Microchip Technology
Serie	MSiC™ MA
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	37 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	100mOhm bei 15A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,8V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	64 nC @ 20 V
Vgs (Max.)	+23V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	838 pF @ 1000 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	200W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-4
Gehäuse / Hülle	TO-247-4
Basis-Produktnummer	MSC080

Fragen und Antworten zum Produkt

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