N-Kanal, Verarmungsmodus 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Durchkontaktierung TO-92-3
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LND150N3-G

DigiKey-Teilenr.
LND150N3-G-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
LND150N3-G
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Standardlieferzeit des Herstellers
12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal, Verarmungsmodus 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Durchkontaktierung TO-92-3
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1000Ohm bei 500µA, 0V
Herst.
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Tasche
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
10 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
740mW (Ta)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
0V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
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