
LND150N3-G | |
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DigiKey-Teilenr. | LND150N3-G-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | LND150N3-G |
Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 12 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal, Verarmungsmodus 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Durchkontaktierung TO-92-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | LND150N3-G Modelle |
Kategorie | Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1000Ohm bei 500µA, 0V |
Herst. | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Tasche | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 10 pF @ 25 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 740mW (Ta) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-92-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 0V | Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 0,51000 | € 0,51 |
| 25 | € 0,44200 | € 11,05 |
| 100 | € 0,39100 | € 39,10 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 0,51000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 0,61200 |











