Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 80 V 1 A 800 mW Durchkontaktierung TO-39 (TO-205AD)
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JANSR2N3019S

DigiKey-Teilenr.
JANSR2N3019S-ND
Hersteller
Microchip Technology
Hersteller-Teilenummer
JANSR2N3019S
Beschreibung
TRANS NPN 80V 1A TO39
Standardlieferzeit des Herstellers
45 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 80 V 1 A 800 mW Durchkontaktierung TO-39 (TO-205AD)
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Microchip Technology
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
500mV bei 50mA, 500mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
50 bei 500mA, 10V
Leistung - Max.
800 mW
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C bis 200°C (TJ)
Klasse
Militärtechnik
Qualifizierung
MIL-PRF-19500/391
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-205AD, TO-39-3 Metallgehäuse
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-39 (TO-205AD)
Basis-Produktnummer
2N3019
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