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N-Kanal 600 V 60 A (Tc) 1040W (Tc) Durchkontaktierung T-MAX™ [B2]
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

APT56F60B2

DigiKey-Teilenr.
APT56F60B2-ND
Hersteller
Microchip Technology
Hersteller-Teilenummer
APT56F60B2
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 60A T-MAX
Standardlieferzeit des Herstellers
26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 60 A (Tc) 1040W (Tc) Durchkontaktierung T-MAX™ [B2]
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Microchip Technology
Serie
POWER MOS 8™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
60 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
110mOhm bei 28A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 2,5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
280 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
11300 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
1040W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
T-MAX™ [B2]
Gehäuse / Hülle
TO-247-3 Variante
Basis-Produktnummer
APT56F60
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