N-Kanal 90 V 350mA (Tj) 6,25W (Tc) Durchkontaktierung TO-39
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 90 V 350mA (Tj) 6,25W (Tc) Durchkontaktierung TO-39
2N6661

2N6661

DigiKey-Teilenr.
2N6661MC-ND
Hersteller
Microchip Technology
Hersteller-Teilenummer
2N6661
Beschreibung
MOSFET N-CH 90V 350MA TO39
Standardlieferzeit des Herstellers
8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 90 V 350mA (Tj) 6,25W (Tc) Durchkontaktierung TO-39
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Microchip Technology
Serie
-
Verpackung
Tasche
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
90 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
350mA (Tj)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4Ohm bei 1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2V bei 1mA
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
50 pF @ 24 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
6,25W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-39
Gehäuse / Hülle
TO-205AD, TO-39-3 Metallgehäuse
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