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1N5809URS/TR
Microchip Technology
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Parametrisches Äquivalent

1N5809US
Microchip Technology
Vorrätig: 685
Stückpreis : € 6,92000
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Parametrisches Äquivalent

1N5809US/TR
Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 6,49752
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Parametrisches Äquivalent

JAN1N5809URS
Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 13,03810
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Parametrisches Äquivalent

JAN1N5809URS/TR
Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 13,15010
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Parametrisches Äquivalent

JAN1N5809US/TR
Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 6,30820
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Parametrisches Äquivalent

JANS1N5809URS/TR
Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 118,58300
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Parametrisches Äquivalent

JANS1N5809US
Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 34,34660
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent

JANS1N5809US/TR
Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 34,14880
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Parametrisches Äquivalent

JANTX1N5809URS
Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 15,12940
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Parametrisches Äquivalent

JANTX1N5809URS/TR
Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 15,24130
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Parametrisches Äquivalent

JANTX1N5809US
Microchip Technology
Vorrätig: 111
Stückpreis : € 7,00000
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Parametrisches Äquivalent

JANTX1N5809US/TR
Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 6,55790
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Parametrisches Äquivalent

JANTXV1N5809URS
Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 18,89880
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Dioden 100 V 3A Oberflächenmontage B, SQ-MELF
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

1N5809URS

DigiKey-Teilenr.
150-1N5809URS-ND
Hersteller
Microchip Technology
Hersteller-Teilenummer
1N5809URS
Beschreibung
DIODE STANDARD 100V 3A B SQMELF
Standardlieferzeit des Herstellers
35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Dioden 100 V 3A Oberflächenmontage B, SQ-MELF
Datenblatt
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Kategorie
Herst.
Microchip Technology
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
100 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
3A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
875 mV @ 4 A
Geschwindigkeit
Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
30 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
5 µA @ 100 V
Kapazität bei Vr, F
60pF bei 10V, 1MHz
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
SQ-MELF, B
Gehäusetyp vom Lieferanten
B, SQ-MELF
Betriebstemperatur - Übergang
-65°C bis 175°C
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