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1N5807URS/TR
Microchip Technology
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Stückpreis : € 27,57000
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Parametrisches Äquivalent

1N5807US/TR
Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 6,49752
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Parametrisches Äquivalent

JAN1N5807URS
Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 13,03810
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent

JAN1N5807URS/TR
Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 13,15010
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent

JAN1N5807US/TR
Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 6,66970
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Parametrisches Äquivalent

JANS1N5807URS/TR
Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 118,58300
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Parametrisches Äquivalent

JANS1N5807US
Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 34,02820
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Parametrisches Äquivalent

JANS1N5807US/TR
Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 34,14880
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Parametrisches Äquivalent

JANTX1N5807URS/TR
Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 15,24130
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Parametrisches Äquivalent

JANTX1N5807US
Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 7,56470
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Parametrisches Äquivalent

JANTX1N5807US/TR
Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 7,67660
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Parametrisches Äquivalent

JANTXV1N5807URS
Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 18,89880
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Parametrisches Äquivalent

JANTXV1N5807URS/TR
Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 19,01070
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Dioden 50 V 3A Oberflächenmontage B, SQ-MELF
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

1N5807URS

DigiKey-Teilenr.
150-1N5807URS-ND
Hersteller
Microchip Technology
Hersteller-Teilenummer
1N5807URS
Beschreibung
DIODE STANDARD 50V 3A B SQMELF
Standardlieferzeit des Herstellers
35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Dioden 50 V 3A Oberflächenmontage B, SQ-MELF
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Herst.
Microchip Technology
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
50 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
3A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
875 mV @ 4 A
Geschwindigkeit
Schnellerholung =< 500ns, > 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
30 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
5 µA @ 50 V
Kapazität bei Vr, F
60pF bei 10V, 1MHz
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
SQ-MELF, B
Gehäusetyp vom Lieferanten
B, SQ-MELF
Betriebstemperatur - Übergang
-65°C bis 175°C
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