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1N5239BE3/TR
Microchip Technology
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1N5999B
Microchip Technology
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Parametrisches Äquivalent

1N5999B/TR
Microchip Technology
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1N5999C
Microchip Technology
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1N5999D
Microchip Technology
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1N757A-1
Microchip Technology
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Parametrisches Äquivalent

1N757A/TR
Microchip Technology
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Parametrisches Äquivalent

JAN1N757A-1
Microchip Technology
Vorrätig: 360
Stückpreis : € 1,65000
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JAN1N757C-1
Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 3,87272
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Parametrisches Äquivalent

JAN1N757C-1/TR
Microchip Technology
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 3,99315
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Parametrisches Äquivalent

JAN1N757D-1
Microchip Technology
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Parametrisches Äquivalent

JAN1N757D-1/TR
Microchip Technology
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JANHCA1N757A
Microchip Technology
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JANTX1N757C-1
Microchip Technology
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Dioden - Zener 9.1 V 500 mW ±5% Durchkontaktierung DO-204AH (DO-35)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

1N5239BE3

DigiKey-Teilenr.
1N5239BE3MS-ND
Hersteller
Microchip Technology
Hersteller-Teilenummer
1N5239BE3
Beschreibung
DIODE ZENER 9.1V 500MW DO204AH
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Dioden - Zener 9.1 V 500 mW ±5% Durchkontaktierung DO-204AH (DO-35)
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Herst.
Microchip Technology
Serie
-
Verpackung
Tasche
Status der Komponente
Aktiv
Spannung - Zener (Vz) (nom.)
9.1 V
Toleranz
±5%
Leistung - Max.
500 mW
Impedanz (max.) (Zzt)
10 Ohms
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
3 µA @ 7 V
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.5 V @ 200 mA
Betriebstemperatur
-65°C bis 175°C
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
DO-204AH, DO-35, Axial
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-204AH (DO-35)
Basis-Produktnummer
1N5239
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