N-Kanal 1200 V 20 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD
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N-Kanal 1200 V 20 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD
1200 V, 80 mOhm SiC MOSFET

LSIC1MO120E0160

DigiKey-Teilenr.
F11005-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
LSIC1MO120E0160
Beschreibung
SICFET N-CH 1200V 20A TO247-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 20 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 5mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
50 nC @ 20 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
+22V, -6V
Status der Komponente
Nur verfügbar bis
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
890 pF @ 800 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247AD
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
20V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
200mOhm bei 10A, 20V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
IXSH20N120L2KHVIXYS550238-IXSH20N120L2KHV-ND€ 5,69000Vom Hersteller empfohlen
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