P-Kanal 500 V 11 A (Tc) 300W (Tc) Oberflächenmontage TO-268AA
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P-Kanal 500 V 11 A (Tc) 300W (Tc) Oberflächenmontage TO-268AA
IXTT11P50

IXTT11P50

DigiKey-Teilenr.
238-IXTT11P50-ND
Hersteller
IXYS
Hersteller-Teilenummer
IXTT11P50
Beschreibung
MOSFET P-CH 500V 11A TO268
Standardlieferzeit des Herstellers
37 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
P-Kanal 500 V 11 A (Tc) 300W (Tc) Oberflächenmontage TO-268AA
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
IXYS
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
P-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
11 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
750mOhm bei 5,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4700 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-268AA
Gehäuse / Hülle
TO-268-3, D3PAK (2 Pins + Lasche), TO-268AA
Basis-Produktnummer
IXTT11
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