Name: IXTA3N50D2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTA3N50D2-ND
Price: 6.192 EUR
Availability: InStock

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IXTA3N50D2
DigiKey-Teilenr.	238-IXTA3N50D2-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTA3N50D2
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 3A TO263
Standardlieferzeit des Herstellers	32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal, Verarmungsmodus 500 V 3 A (Tc) 125W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AA
cms-datasheet	cms-datasheet

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	Depletion
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal, Verarmungsmodus
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	3 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	-
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,5Ohm bei 1,5A, 0V
Vgs(th) (max.) bei Id	-
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	40 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1070 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263AA
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	IXTA3

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Menge

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Menge	cms-unit-price	Gesamtpreis
1	€ 5,16000	€ 5,16
50	€ 2,72300	€ 136,15
100	€ 2,48790	€ 248,79
500	€ 2,07626	€ 1.038,13
1 000	€ 2,00616	€ 2.006,16

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