Name: IXTT16N20D2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTT16N20D2-ND
Price: 25.428 EUR
Availability: OutOfStock

N-Kanal, Verarmungsmodus 200 V 16 A (Tc) 695W (Tc) Oberflächenmontage TO-268AA

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IXTT16N20D2
DigiKey-Teilenr.	238-IXTT16N20D2-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTT16N20D2
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 16A TO268
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal, Verarmungsmodus 200 V 16 A (Tc) 695W (Tc) Oberflächenmontage TO-268AA
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IXTT16N20D2 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 208 nC @ 5 V
Herst. IXYS	Vgs (Max.) ±20V
Serie Depletion	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5500 pF @ 25 V
Verpackung Stange	Verlustleistung (max.) 695W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal, Verarmungsmodus	Montagetyp Oberflächenmontage
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-268AA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V	Gehäuse / Hülle TO-268-3, D3PAK (2 Pins + Lasche), TO-268AA
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 16 A (Tc)	Basis-Produktnummer IXTT16
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 73mOhm bei 8A, 0V

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