N-Kanal 100 V 75 A (Tc) 360W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P
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IXTQ75N10P

DigiKey-Teilenr.
IXTQ75N10P-ND
Hersteller
IXYS
Hersteller-Teilenummer
IXTQ75N10P
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 75A TO3P
Standardlieferzeit des Herstellers
26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 75 A (Tc) 360W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
IXYS
Serie
Polar
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
75 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
25mOhm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2250 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
360W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3P
Gehäuse / Hülle
TO-3P-3, SC-65-3
Basis-Produktnummer
IXTQ75
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