Name: IXTQ60N20L2
Brand: IXYS
SKU: IXTQ60N20L2-ND
Price: 20.268 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 200 V 60 A (Tc) 540W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTQ60N20L2
DigiKey-Teilenr.	IXTQ60N20L2-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTQ60N20L2
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 60A TO3P
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 60 A (Tc) 540W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	Linear L2™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	60 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	45mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	255 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	10500 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	540W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-3P
Gehäuse / Hülle	TO-3P-3, SC-65-3
Basis-Produktnummer	IXTQ60

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