N-Kanal 650 V 4 A (Tc) 80W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
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IXTP4N65X2

DigiKey-Teilenr.
238-IXTP4N65X2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTP4N65X2
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 4 A (Tc) 80W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
8.3 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
455 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
80W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
850mOhm bei 2A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 73
Bestand des Herstellers: 2 650
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 3,62000€ 3,62
50€ 1,83660€ 91,83
100€ 1,66460€ 166,46
500€ 1,36334€ 681,67
1 000€ 1,26656€ 1.266,56
2 000€ 1,18524€ 2.370,48
5 000€ 1,13684€ 5.684,20
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:€ 3,62000
Stückpreis mit MwSt.:€ 4,34400