P-Kanal 200 V 32 A (Tc) 300W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
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IXTP32P20T

DigiKey-Teilenr.
238-IXTP32P20T-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTP32P20T
Beschreibung
MOSFET P-CH 200V 32A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
P-Kanal 200 V 32 A (Tc) 300W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
130mOhm bei 16A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
14500 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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