N-Kanal, Verarmungsmodus 500 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
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IXTP08N50D2

DigiKey-Teilenr.
238-IXTP08N50D2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTP08N50D2
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal, Verarmungsmodus 500 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
12.7 nC @ 5 V
Herst.
Vgs (Max.)
±20V
Serie
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
312 pF @ 25 V
Verpackung
Stange
Verlustleistung (max.)
60W (Tc)
Status der Komponente
Aktiv
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
FET-Typ
Montagetyp
Durchkontaktierung
Technologie
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Gehäuse / Hülle
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4,6Ohm bei 400mA, 0V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 1 450
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 3,74000€ 3,74
50€ 1,90280€ 95,14
100€ 1,72570€ 172,57
500€ 1,41548€ 707,74
1 000€ 1,31584€ 1.315,84
2 000€ 1,23209€ 2.464,18
5 000€ 1,18814€ 5.940,70
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:€ 3,74000
Stückpreis mit MwSt.:€ 4,48800
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