N-Kanal 1000 V 800mA (Tc) 42W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
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IXTP08N100P

DigiKey-Teilenr.
IXTP08N100P-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTP08N100P
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1000 V 800mA (Tc) 42W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 50µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
11.3 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
240 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
42W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
20Ohm bei 500mA, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 209
Bestand des Herstellers: 1 050
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 3,66000€ 3,66
50€ 1,86040€ 93,02
100€ 1,68660€ 168,66
500€ 1,38208€ 691,04
1 000€ 1,28428€ 1.284,28
2 000€ 1,20208€ 2.404,16
5 000€ 1,15526€ 5.776,30
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:€ 3,66000
Stückpreis mit MwSt.:€ 4,39200