N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 400mA (Tc) 1,1W (Ta), 25W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
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IXTP01N100D

DigiKey-Teilenr.
238-IXTP01N100D-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTP01N100D
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 400MA TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 400mA (Tc) 1,1W (Ta), 25W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 25µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
5.8 nC @ 5 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
100 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
1,1W (Ta), 25W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
0V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
80Ohm bei 50mA, 0V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 245
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 8,41000€ 8,41
50€ 4,62820€ 231,41
100€ 4,26390€ 426,39
500€ 3,62618€ 1.813,09
1 000€ 3,52039€ 3.520,39
Standardverpackung des Herstellers
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