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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IXTN660N04T4 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IXTN660N04T4-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXTN660N04T4 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 40V 660A SOT227B |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 40 V 660 A (Tc) 1040W (Tc) Chassisbefestigung SOT-227B |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 860 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±15V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 44000 pF @ 25 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 1040W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Chassisbefestigung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V | Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-227B |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 0,85mOhm bei 100A, 10V |
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