Name: IXTK32P60P
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTK32P60P-ND
Price: 23.436 EUR
Availability: InStock

P-Kanal 600 V 32 A (Tc) 890W (Tc) Durchkontaktierung TO-264 (IXTK)

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTK32P60P
DigiKey-Teilenr.	238-IXTK32P60P-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTK32P60P
Beschreibung	MOSFET P-CH 600V 32A TO264
Standardlieferzeit des Herstellers	37 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 600 V 32 A (Tc) 890W (Tc) Durchkontaktierung TO-264 (IXTK)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IXTK32P60P Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	PolarP™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	32 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	350mOhm bei 16A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	196 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	11100 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	890W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-264 (IXTK)
Gehäuse / Hülle	TO-264-3, TO-264AA
Basis-Produktnummer	IXTK32

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