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N-Kanal 100 V 75 A (Tc) 300W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
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IXTH75N10

DigiKey-Teilenr.
IXTH75N10-ND
Hersteller
IXYS
Hersteller-Teilenummer
IXTH75N10
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 75A TO247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 75 A (Tc) 300W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
IXYS
Serie
MegaMOS™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
75 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
20mOhm bei 37,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4500 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247 (IXTH)
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IXTH75
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