N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 6 A (Tc) 300W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
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IXTH6N100D2

DigiKey-Teilenr.
238-IXTH6N100D2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTH6N100D2
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers
61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 6 A (Tc) 300W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
95 nC @ 5 V
Herst.
Vgs (Max.)
±20V
Serie
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2650 pF @ 25 V
Verpackung
Stange
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Status der Komponente
Aktiv
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
FET-Typ
Montagetyp
Durchkontaktierung
Technologie
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247 (IXTH)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Gehäuse / Hülle
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2,2Ohm bei 3A, 0V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 396
Bestand des Herstellers: 840
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 11,81000€ 11,81
30€ 7,14300€ 214,29
120€ 6,12108€ 734,53
510€ 5,50086€ 2.805,44
Standardverpackung des Herstellers
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