N-Kanal 2000 V 1 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung TO-247HV
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IXTH1N200P3HV

DigiKey-Teilenr.
238-IXTH1N200P3HV-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTH1N200P3HV
Beschreibung
MOSFET N-CH 2000V 1A TO247HV
Standardlieferzeit des Herstellers
26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 2000 V 1 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung TO-247HV
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
23.5 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
646 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
2000 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247HV
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
40Ohm bei 500mA, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 46
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 10,30000€ 10,30
30€ 6,15700€ 184,71
120€ 5,24883€ 629,86
510€ 4,60231€ 2.347,18
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:€ 10,30000
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