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N-Kanal, Verarmungsmodus 100 V 16 A (Tc) 830W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
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IXTH16N10D2

DigiKey-Teilenr.
IXTH16N10D2-ND
Hersteller
IXYS
Hersteller-Teilenummer
IXTH16N10D2
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 16A TO247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal, Verarmungsmodus 100 V 16 A (Tc) 830W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Herst.
IXYS
Serie
Depletion
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal, Verarmungsmodus
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
16 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
0V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
64mOhm bei 8A, 0V
Vgs(th) (max.) bei Id
-
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
225 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
5700 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
830W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247 (IXTH)
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IXTH16
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