N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 10 A (Tc) 695W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
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IXTH10N100D2

DigiKey-Teilenr.
IXTH10N100D2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTH10N100D2
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 10A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers
25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 10 A (Tc) 695W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,5Ohm bei 5A, 10V
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
200 nC @ 5 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
5320 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
695W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247 (IXTH)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 21,21000€ 21,21
30€ 13,50733€ 405,22
120€ 11,82383€ 1.418,86
510€ 11,67825€ 5.955,91
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