N-Kanal 1000 V 30 A (Tc) 800W (Tc) Durchkontaktierung PLUS264™
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IXTB30N100L

DigiKey-Teilenr.
IXTB30N100L-ND
Hersteller
IXYS
Hersteller-Teilenummer
IXTB30N100L
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
Standardlieferzeit des Herstellers
49 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1000 V 30 A (Tc) 800W (Tc) Durchkontaktierung PLUS264™
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
IXYS
Serie
Linear
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
30 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
450mOhm bei 500mA, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
545 nC @ 20 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
13200 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
800W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PLUS264™
Gehäuse / Hülle
TO-264-3, TO-264AA
Basis-Produktnummer
IXTB30
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