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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IXSH60N65L2KHV | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 238-IXSH60N65L2KHV-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXSH60N65L2KHV |
Beschreibung | 650V 40M (40A @ 25C) SIC MOSFET |
Standardlieferzeit des Herstellers | 27 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 60 A (Tc) 249W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 15V, 18V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 53mOhm bei 20A, 18V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4,5V bei 7,5mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 94.7 nC @ 18 V | |
Vgs (Max.) | +20V, -5V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 2000 pF @ 600 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 249W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-247-4L | |
Gehäuse / Hülle |
Auf Lager: 550
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 8,31000 | € 8,31 |
| 10 | € 5,69200 | € 56,92 |
| 450 | € 3,61458 | € 1.626,56 |
| 900 | € 3,47397 | € 3.126,57 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 8,31000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 9,97200 |
