IXKC23N60C5 IXYS | Diskrete Halbleiterprodukte

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STMicroelectronics

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Stückpreis : € 5,35000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXKC23N60C5
DigiKey-Teilenr.	IXKC23N60C5-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXKC23N60C5
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 23 A (Tc) Durchkontaktierung ISOPLUS220™

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	CoolMOS™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	23 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	100mOhm bei 18A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,9V bei 1,2mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2800 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	-
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	ISOPLUS220™
Gehäuse / Hülle	ISOPLUS220™
Basis-Produktnummer	IXKC23