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IXFT18N100Q3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IXFT18N100Q3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXFT18N100Q3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 1000V 18A TO268 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 26 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 1000 V 18 A (Tc) 830W (Tc) Oberflächenmontage TO-268AA |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 6,5V bei 4mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 90 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4890 pF @ 25 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 830W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Oberflächenmontage |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-268AA |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 660mOhm bei 9A, 10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 300 | € 16,17433 | € 4.852,30 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 16,17433 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 19,40920 |
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