N-Kanal 850 V 8 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P
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IXFQ8N85X

DigiKey-Teilenr.
238-IXFQ8N85X-ND
Hersteller
IXYS
Hersteller-Teilenummer
IXFQ8N85X
Beschreibung
MOSFET N-CH 850V 8A TO3P
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 850 V 8 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
IXYS
Serie
HiPerFET™, Ultra X
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
850 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
8 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
850mOhm bei 4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
654 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
200W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3P
Gehäuse / Hülle
TO-3P-3, SC-65-3
Basis-Produktnummer
IXFQ8N85
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