N-Kanal 650 V 80 A (Tc) 890W (Tc) Durchkontaktierung TO-264AA
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IXFK80N65X2

DigiKey-Teilenr.
IXFK80N65X2-ND
Hersteller
IXYS
Hersteller-Teilenummer
IXFK80N65X2
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 80A TO264
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 80 A (Tc) 890W (Tc) Durchkontaktierung TO-264AA
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
IXYS
Serie
HiPerFET™, Ultra X2
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
80 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
40mOhm bei 40A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5,5V bei 4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
143 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
8245 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
890W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-264AA
Gehäuse / Hülle
TO-264-3, TO-264AA
Basis-Produktnummer
IXFK80
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