N-Kanal 850 V 65 A (Tc) 830W (Tc) Chassisbefestigung SOT-227B
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IXFN66N85X

DigiKey-Teilenr.
238-IXFN66N85X-ND
Hersteller
IXYS
Hersteller-Teilenummer
IXFN66N85X
Beschreibung
MOSFET N-CH 850V 65A SOT227B
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 850 V 65 A (Tc) 830W (Tc) Chassisbefestigung SOT-227B
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
IXYS
Serie
HiPerFET™, Ultra X
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
850 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
65 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
65mOhm bei 33A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5,5V bei 8mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
8900 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
830W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-227B
Gehäuse / Hülle
SOT-227-4, miniBLOC
Basis-Produktnummer
IXFN66
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