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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IXFN55N120SK | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 238-IXFN55N120SK-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXFN55N120SK |
Beschreibung | SIC AND MULTICHIP DISCRETE |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 1200 V 54 A (Tc) Chassisbefestigung SOT-227B |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 42mOhm bei 40A, 15V |
Herst. | Vgs(th) (max.) bei Id 3,6V bei 12mA |
Verpackung Stange | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 107 nC @ 15 V |
Status der Komponente Obsolet | Vgs (Max.) +15V, -4V |
FET-Typ | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3360 pF @ 1000 V |
Technologie | Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V | Montagetyp Chassisbefestigung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-227B |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V | Gehäuse / Hülle |
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