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N-Kanal 1000 V 6 A (Tc) 180W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD (IXFH)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 1000 V 6 A (Tc) 180W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD (IXFH)
HiPerFET_TO-247-3

IXFH6N100Q

DigiKey-Teilenr.
IXFH6N100Q-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXFH6N100Q
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247AD
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1000 V 6 A (Tc) 180W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD (IXFH)
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Produkteigenschaften
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Herst.
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Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,9Ohm bei 3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 2,5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2200 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
180W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247AD (IXFH)
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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