SRAM - Asynchron Speicher IC 8Mbit Parallel 10 ns 48-TFBGA (6x8)
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IS61WV51216EEBLL-10BLI

DigiKey-Teilenr.
IS61WV51216EEBLL-10BLI-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IS61WV51216EEBLL-10BLI
Beschreibung
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
SRAM - Asynchron Speicher IC 8Mbit Parallel 10 ns 48-TFBGA (6x8)
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Speicherschnittstelle
Parallel
Herst.
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
10ns
Verpackung
Tablett
Zugriffszeit
10 ns
Status der Komponente
Aktiv
Spannung - Versorgung
2,4V bis 3,6V
Von DigiKey programmierbar
Nicht verifiziert
Betriebstemperatur
-40°C bis 85°C (TA)
Speichertyp
Flüchtig
Montagetyp
Oberflächenmontage
Speicherformat
Gehäuse / Hülle
Technologie
SRAM - Asynchron
Gehäusetyp vom Lieferanten
48-TFBGA (6x8)
Speichergröße
Basis-Produktnummer
Speicherorganisation
512K x 16
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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