SPP80P06PBKSA1 Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

SPP80P06PBKSA1 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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Infineon Technologies

Vorrätig: 3 058

Stückpreis : € 3,71000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SPP80P06PBKSA1
DigiKey-Teilenr.	SPP80P06PBKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	SPP80P06PBKSA1
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 80A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 80 A (Tc) 340W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SPP80P06PBKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	80 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	23mOhm bei 64A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 5,5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	173 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	5033 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	340W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO220-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	SPP80P