P-Kanal 60 V 8,83 A (Ta) 42W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
P-Kanal 60 V 8,83 A (Ta) 42W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3
PG-TO-252-3

SPD08P06PGBTMA1

DigiKey-Teilenr.
SPD08P06PGBTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
SPD08P06PGBTMA1
Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
P-Kanal 60 V 8,83 A (Ta) 42W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SPD08P06PGBTMA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
SIPMOS®
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente
Nur verfügbar bis
FET-Typ
P-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
8,83 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
6,2V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
300mOhm bei 10A, 6,2V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
420 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
42W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
Automobiltechnik
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO252-3
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer
SPD08P06
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