Name: SPB80P06PGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB80P06PGATMA1TR-ND
Price: 4.884 EUR
Availability: OutOfStock

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SPB80P06PGATMA1
DigiKey-Teilenr.	SPB80P06PGATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SPB80P06PGATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SPB80P06PGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	SPB80P06PGATMA1
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 80 A (Tc) 340W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SPB80P06PGATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 173 nC @ 10 V
Herst. Infineon Technologies	Vgs (Max.) ±20V
Serie SIPMOS®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5033 pF @ 25 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 340W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ P-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 80 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-3-2
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 23mOhm bei 64A, 10V	Basis-Produktnummer SPB80P06
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 5,5mA