Name: SPB21N50C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB21N50C3ATMA1TR-ND
Price: 5.712 EUR
Availability: InStock

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SPB21N50C3ATMA1
DigiKey-Teilenr.	SPB21N50C3ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SPB21N50C3ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SPB21N50C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	SPB21N50C3ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3
Standardlieferzeit des Herstellers	19 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 560 V 21 A (Tc) 208W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SPB21N50C3ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,9V bei 1mA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 95 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2400 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 208W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 560 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-3-2
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 21 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer SPB21N50
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 190mOhm bei 13,1A, 10V

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)

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SPB21N50C3ATMA1