Name: ISZ0602NLSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISZ0602NLSATMA1TR-ND
Price: 1.98 EUR
Availability: InStock

ISZ0602NLSATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-ISZ0602NLSATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-ISZ0602NLSATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-ISZ0602NLSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	ISZ0602NLSATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 12A/64A TSDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 12A (Ta), 64A (Tc) 2,1W (Ta), 60W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSDSON-8-26
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	ISZ0602NLSATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12A (Ta), 64A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	7,8mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,3V bei 29µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1860 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,1W (Ta), 60W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TSDSON-8-26
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	ISZ0602N

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
5 000	€ 0,43173	€ 2.158,65
10 000	€ 0,42643	€ 4.264,30

ISZ0602NLSATMA1

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 1,65000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 1,98000