Name: ISG0616N10NM5HSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1TR-ND
Price: 7.2 EUR
Availability: OutOfStock

MOSFETs - Arrays 100V 19A (Ta), 139A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Oberflächenmontage PG-WHITFN-10-1

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ISG0616N10NM5HSCATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-ISG0616N10NM5HSCATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-ISG0616N10NM5HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	ISG0616N10NM5HSCATMA1
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 100V 19A 10WHITFN
Standardlieferzeit des Herstellers	48 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 100V 19A (Ta), 139A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Oberflächenmontage PG-WHITFN-10-1
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4mOhm bei 50A, 10V
Hersteller Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 3,8V bei 85µA
Serie OptiMOS™ 5	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 78nC bei 10V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4800pF bei 50V
Status der Komponente Aktiv	Leistung - Max. 3W (Ta), 167W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Konfiguration 2 N-Kanal (Halbbrücke)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V	Gehäuse / Hülle 10-PowerWDFN
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 19A (Ta), 139A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-WHITFN-10-1