Name: ISC0802NLSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC0802NLSATMA1TR-ND
Price: 2.748 EUR
Availability: InStock

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ISC0802NLSATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-ISC0802NLSATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-ISC0802NLSATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-ISC0802NLSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	ISC0802NLSATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 22A (Ta), 150A (Tc) 2,5W (Ta), 125W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-7
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	ISC0802NLSATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,3V bei 92µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 73 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5190 pF @ 50 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 125W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TDSON-8-7
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 22A (Ta), 150A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer ISC0802N
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,6mOhm bei 50A, 10V